日前，换上鞋套后，跟随南智光电技术研发部负责人汤济走进产线参观通道，各个实验室内，身着洁净服的工艺工程师“全副武装”，正神情专注地操作各类仪器。

光刻、刻蚀、镀膜……光子芯片产线并非传统意义上的流水线，而是由一个个功能各异的实验室组成。“现在产线的运行情况非常稳定，已经交付了2批薄膜铌酸锂光子芯片产品，不仅实现了技术孵化向规模化生产的跨越，还为行业提供了高性能的光子芯片解决方案。”汤济介绍。

近年来，光通信作为AI运算的基石，其重要性日益凸显。早在2018年，中国科学院院士、南智光电研究院创始人祝世宁就带领着团队勇闯“无人区”，聚焦光电产业里的新赛道铌酸锂材料领域。

彼时，汤济正在中国科学院大学攻读化学博士学位，对他来说，铌酸锂更像一位熟悉的“老朋友”。2019年底，刚毕业的他决定加入南智光电，发挥专业所长，投入晶圆铌酸锂核心工艺的研究工作。

试验，修改；再试验，再修改……从最初的仿真设计工作到单步工艺开发，再到拥有整合工艺方案的能力，磨砺多年，如今这位“90后”博士已成为团队技术方向带头人，团队成功推出超高带宽铌酸锂调制器芯片，性能指标在国际市场上处于领先地位。与此同时，他也见证了南智光电由研到产的“高光”时刻。

过去，南智光电主要从事科研成果转化、概念验证以及初创企业的样品开发工作。为了进一步推动薄膜铌酸锂光子芯片产品的量产，南智光电积极向“研发+量产代工”转型，加速创新产品研发及产业技术落地。在新区“研产贯通”行动的助推下，光子芯片产线比原定计划提前3个月实现了产线竣工交付。

“在铌酸锂芯片领域，我们克服了材料特性带来的加工难点，从4英寸晶体加工技术成熟，到开发出8英寸晶体加工，目前已经初步建立了技术优势，客户包含企业、高校、研究所，需求非常旺盛。”汤济说。